RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3845
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link