RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Kingston 9905625-076.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2631
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link