RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
4060
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link