RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3736
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link