RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
63
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.3
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
53
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
10.3
Скорость записи, Гб/сек
5.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
2333
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Сравнения RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link