RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
46
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
39
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2782
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link