RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2782
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link