RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
54
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1904
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link