RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
54
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
54
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1904
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
UMAX Technology 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link