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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
54
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
7.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1904
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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