RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
54
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
54
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1904
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link