RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2281
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link