RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2830
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link