RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против AMD AP34G1608U1K 2GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
AMD AP34G1608U1K 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD AP34G1608U1K 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2093
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link