RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2316
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link