PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 29

Около 7% меньшая задержка

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.1 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 17.1
Скорость записи, Гб/сек

8.4 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 3366

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9965745-002.A00G 16GB

Kingston 9965745-002.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

Kingston 9965662-012.A01G 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM