PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 31

Около 13% меньшая задержка

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.7 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 16.7
Скорость записи, Гб/сек

8.4 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 3055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB

Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

модули RAM