RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
22.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3830
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link