RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3666
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link