RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3115
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link