PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.2 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.4 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 21.2
Скорость записи, Гб/сек

8.4 16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 3755

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB

Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

модули RAM