RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3933
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link