RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3143
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link