RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3135
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link