RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3179
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link