RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 31
    Около 13% меньшая задержка
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.6 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 13.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 3199

PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
модули RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
модули RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
модули RAM