RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3401
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link