RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3380
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link