RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3380
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link