RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
27
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3429
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link