RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
27
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3465
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link