RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3546
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link