RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2110
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link