PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    20 left arrow 27
    Около -35% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.4 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.0 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 20
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 19.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 15.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 3395
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения