RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
67
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2030
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link