RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Kingston 9905678-110.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2101
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link