RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3637
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link