RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2969
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link