RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
52
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2260
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link