RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2960
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link