RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2312
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link