RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2501
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link