RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2762
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link