RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3116
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link