RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2925
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link