RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
59
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1954
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link