RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
27
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2422
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link