RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2879
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link