RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
3047
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link