RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
55
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.4
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
55
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link