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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
55
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
55
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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